报告题目：半导体新材料设计与非易失性存储器件研究
报告时间：2023年10月27日（星期五），下午14:00-15:00
报告地点：理学楼717
报告摘要：
二维范德华材料在下一代电子器件的发展中显示出巨大的潜力。二维材料的范德华相互作用强烈影响其化学和物理性质，其中层的堆垛顺序可能会导致反常行为。长期以来，人们一直认为铁电和铁谷极化在一个磁性半导体中的共存可以为电子器件的革命提供可能性，对于开发未来的智能化电子器件具有十分重要的推动作用。本报告主要围绕调控半导体新材料电子的电荷、自旋和能谷三个自由度开展研究工作，从结构设计的角度出发，汇报在材料设计、非易失性存储器件和神经突出模拟方面的一些初步结果和心得体会。
报告人简介：张宪民，东北大学教授，博士生导师，2020年入选辽宁省“兴辽英才计划”科技创新领军人才。长期从事磁性材料和半导体薄膜的取向生长、电磁特性探测以及电子传输机理等方面的研究工作，在Applied Physics Reviews、Nature Communication、ACS Nano、Acta Materialia、Nano Letters、Physical Review B等期刊发表研究学术论文100余篇。主持完成国家自然科学基金项目等科研课题20余项，出版英文专著章节2部、中文教材1部。
